Features
- Quadratische, aktive Fläche
- Empfindlichkeitsbereich 400 nm – 1.000 nm
- Mittlere Verstärkung, typisch 500 Hfe
- Hohe Verlässlichkeit
- Hermetisches Gehäuse (TO-45 Metall)
Silizium Phototransistoren
Silizium Phototransistoren
Der Silizium Phototransistor ist für Anwendungen entwickelt, die eine mittlere Verstärkung und einen weiten Betrachtungswinkel erfordern.
