Features
- 800 nm bis 1700 nm
- Hohe Ansprechempfindlichkeit
- Hohe elektrische Bandbreite / schnelle Ansprechzeit
- Hohe Zuverlässigkeit / hermetisches Gehäuse
InGaAs PIN Dioden
InGaAs PIN Dioden
Hochgeschwindigkeits-InGaAs-Detektor für faseroptische Anwendungen, die eine hohe Reaktionsfähigkeit und eine schnelle Reaktionszeit fordern.
Technische Daten
| Serie | Aktive Fläche |
Gehäuse |
| TXPI 1047 (Faseroptik) | Kugeloptik |
TO-18 Metall |
| TXPI 1152 | 55 µm |
TO-18 Metall |
| TXPI 1153 | 75 µm |
TO-18 Metall |
| TXPI 1154 | 100 µm |
TO-18 Metall |
| TXPI 1155 | 300 µm |
TO-18 Metall |
| TXPI 1156 | 500 µm |
TO-18 Metall |
| TXPI 1380 | 100 µm |
TO-18 Metall |
